[实用新型]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201820986413.5 申请日: 2018-06-25
公开(公告)号: CN208589437U 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 桥本千惠美;矢山浩辅;常野克己;松崎智一 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64;H01L27/02;H01L27/08;H03K3/011
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 高培培;戚传江
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 实用新型提供一种半导体装置。多晶硅电阻的模塑封装工艺结束后的电阻变动率大。为了能够实现高精度的修调,期望实现一种几乎不受到由于模塑封装工艺而在基板产生的应力的影响的电阻。电阻元件形成于多个布线层,具有第1导电层(51)、第2导电层(52)以及层间导电层(53)的重复图案,所述第1导电层(51)形成于第1布线层,所述第2导电层(52)形成于第2布线层,所述层间导电层(53)将第1导电层(51)与第2导电层(52)连接。
搜索关键词: 导电层 布线层 半导体装置 层间导电 模塑封装 本实用新型 多晶硅电阻 电阻变动 电阻元件 重复图案 电阻 基板 期望
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:半导体基板;以及多个布线层,形成于所述半导体基板上,至少包括第1布线层以及第2布线层,在所述多个布线层形成有电阻元件,所述电阻元件具有第1导电层、第2导电层以及层间导电层的重复图案,所述第1导电层形成于所述第1布线层,所述第2导电层形成于所述第2布线层,所述层间导电层将所述第1导电层与所述第2导电层连接。
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