[实用新型]一种像素结构有效

专利信息
申请号: 201821087247.1 申请日: 2018-07-10
公开(公告)号: CN208284478U 公开(公告)日: 2018-12-25
发明(设计)人: 于靖;庄崇营;李林 申请(专利权)人: 信利半导体有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 邓义华;廖苑滨
地址: 516600 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型提供了一种像素结构,包括共用数据线、第一栅极线、第二栅极线、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极和第二像素电极;第一薄膜晶体管和共用数据线及第一栅极线电性连接,第二薄膜晶体管与共用数据线及第二栅极线电性连接;第一像素电极与第一薄膜晶体管电性连接,第二像素电极与第二薄膜晶体管电性连接;第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极与第二像素电极均布置于所述共用数据线同一侧,且布置与第一栅极线和第二栅极线之间;所述第一像素电极与第二像素电极沿所第一栅极线或第二栅极线的延伸方向排列。本实用新型能够有效解决了共用数据线的像素结构中因制作误差形成的寄生电容不相等,引起显示异常的问题。
搜索关键词: 薄膜晶体管 像素电极 栅极线 共用数据线 像素结构 本实用新型 电性连接 栅极线电 方向排列 寄生电容 显示异常 有效解决 不相等 延伸 制作
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,包括数据线、栅极线、像素电极、与所述栅极线电性连接的栅极层、与所述数据线电性连接的源极层和与所述像素电极电性连接的漏极层;所述栅极层包括沿所述栅极线延伸方向排列的第一栅极和第二栅极;所述源极层包括延伸至所述第一栅极上的第一源极和延伸至所述第二栅极上的第二源极;所述漏极层设于所述第一栅极和第二栅极之间,且包括延伸于第一栅极上的第一漏极端、延伸于第二栅极上的第二漏极端和与所述像素电极电性连接的第三漏极端。
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