[实用新型]一种新型结构黄绿光外延片有效
申请号: | 201821088727.X | 申请日: | 2018-07-10 |
公开(公告)号: | CN208738289U | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 林晓珊;宁如光;徐培强;刘芬;吴春寿;杨琪;熊欢 | 申请(专利权)人: | 南昌凯迅光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/30 |
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地址: | 330100 江西省南*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种新型结构黄绿光外延片,包括GaAs衬底,其中:所述GaAs衬底上依次设有缓冲层、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层、n‑AlInP限制层、n‑AlGaInP波导层、非掺AlInP限制层Ⅰ、MQW有源层、非掺AlInP限制层Ⅱ、p‑AlGaInP波导层、p‑AlInP限制层和p‑GaP电流扩展层。本实用新型通过在MQW有源层与n‑AlGaInP波导层之间插入一层非掺AlInP限制层Ⅰ,在MQW有源层与p‑AlGaInP波导层之间插入一层非掺AlInP限制层Ⅱ,分别将注入到发光区的电子和空穴约束在发光区,增加复合的电子‑空穴对数,且由于非掺AlInP限制层Ⅱ的禁带宽度比发光区大,发光区发出的光较容易透过非掺AlInP限制层Ⅱ,被吸收的几率小,从而提高发光二极管的内量子效率。 | ||
搜索关键词: | 限制层 波导层 发光区 源层 空穴 本实用新型 黄绿光 外延片 衬底 电流扩展层 发光二极管 内量子效率 反射层 缓冲层 宽度比 禁带 复合 吸收 | ||
【主权项】:
1.一种新型结构黄绿光外延片,包括GaAs衬底(100),其特征在于:所述GaAs衬底(100)上依次设有缓冲层(101)、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层(102)、n‑AlInP限制层(103)、n‑AlGaInP波导层(104)、非掺AlInP限制层Ⅰ(105)、MQW有源层(106)、非掺AlInP限制层Ⅱ(107)、p‑AlGaInP波导层(108)、p‑AlInP限制层(109)和p‑GaP电流扩展层(110)。
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