[实用新型]半导体存储器的存取装置有效

专利信息
申请号: 201821107075.X 申请日: 2018-07-11
公开(公告)号: CN208351934U 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G11C7/12 分类号: G11C7/12;G11C7/18
代理公司: 北京市铸成律师事务所 11313 代理人: 张臻贤;武晨燕
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型提供一种半导体存储器的存取装置,存取装置包括连接于位线的存储单元、N型传输闸和P型传输闸,N型传输闸通过位线连接于存储单元,并连接于第一数据线,P型传输闸通过位线连接于存储单元,并连接于第二数据线;其中,在电荷分享阶段,当存储单元存储高电平资料时,与位线上的寄生电容进行电荷分享,使第二数据线上的电压升高和第一数据线上的电压保持;以及当存储单元存储低电平资料时,与位线上的寄生电容进行电荷分享,使第一数据线上的电压降低和第二数据线上的电压保持。本实用新型可以仅用位线就能实现正确存取存储资料,避免反位线所造成的版图面积增加。
搜索关键词: 位线 传输闸 存储单元 存取装置 第一数据 数据线 半导体存储器 存储单元存储 本实用新型 电荷分享 电压保持 寄生电容 电荷分享阶段 存储资料 电压降低 电压升高 面积增加 低电平 反位线 高电平 存取
【主权项】:
1.一种半导体存储器的存取装置,其特征在于,包括:存储单元,连接于位线;N型传输闸,具有第一N型传输端和第二N型传输端,所述第一N型传输端通过所述位线连接于所述存储单元,所述第二N型传输端连接于第一数据线;以及P型传输闸,具有第一P型传输端和第二P型传输端,所述第一P型传输端通过所述位线连接于所述存储单元,所述第二P型传输端连接于第二数据线;其中,所述存储单元用于存储高电平资料,以在电荷分享阶段与所述位线上的寄生电容进行电荷分享,使所述P型传输闸开启和所述第二数据线上的电压升高,以及使所述N型传输闸关闭和所述第一数据线上的电压保持;以及所述存储单元还用于存储低电平资料,以在所述电荷分享阶段与所述位线上的寄生电容进行电荷分享,使所述N型传输闸开启和所述第一数据线上的电压降低,以及使所述P型传输闸关闭和所述第二数据线上的电压保持。
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