[实用新型]一种嵌入式双层结构碳化硅托盘有效
| 申请号： | 201821121917.7 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN208336182U | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 徐姗姗;吴疆;丁磊 | 申请（专利权）人： | 安徽芯瑞达科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市经*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种嵌入式双层结构碳化硅托盘，包括盘体、第一晶圆槽、第二晶圆槽；所述盘体上表面设置有第一晶圆槽，若干第一晶圆槽在盘体上表面呈矩阵分布排列；相邻四个第一晶圆槽之间的盘体上表面设置有第二晶圆槽，若干第二晶圆槽在盘体上表面呈矩阵分布排列；所述第一晶圆槽的深度比所述第二晶圆槽的深度深，第一晶圆槽的深度为第二晶圆槽深度的两倍；所述第一晶圆槽一侧设置有夹放缺口槽，夹放缺口槽深度与第一晶圆槽深度相同；所述盘体的形状为立方体。本实用新型具有方便镊子取放托盘内的晶圆，提升LED芯片的制造效率和产能的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆槽 盘体上表面 托盘 本实用新型 矩阵分布 双层结构 嵌入式 缺口槽 碳化硅 盘体 镊子 产能 晶圆 取放 制造 | ||
【主权项】：
1.一种嵌入式双层结构碳化硅托盘，包括盘体(1)、第一晶圆槽(2)、第二晶圆槽(3)，其特征在于：所述盘体(1)上表面设置有第一晶圆槽(2)，若干第一晶圆槽(2)在盘体(1)上表面呈矩阵分布排列；相邻四个第一晶圆槽(2)之间的盘体(1)上表面设置有第二晶圆槽(3)，若干第二晶圆槽(3)在盘体(1)上表面呈矩阵分布排列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
