[实用新型]TVS半导体器件有效

专利信息
申请号: 201821127358.0 申请日: 2018-07-17
公开(公告)号: CN209016055U 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 陈宇鹏;S·M·埃特尔;U·夏尔马 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H02H9/04
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 王美石;姚开丽
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 实用新型涉及TVS半导体器件。在一个实施方案中,TVS半导体器件包括第一端子,被配置为耦接到数据线或公共线中的一个;第二端子,被配置为耦接到所述数据线或所述公共线中的不同一个;P‑N二极管,具有耦接到所述第二端子的阳极,并且具有耦接到所述第一端子的阴极;和双极型晶体管,具有耦接到所述第一端子的第一载流电极,耦接到所述第二端子的第二载流电极,以及浮置并且不直接耦接到电位的基极电极。
搜索关键词: 半导体器件 载流电极 公共线 数据线 电位 阴极 双极型晶体管 本实用新型 二极管 阳极 基极电极 浮置 配置
【主权项】:
1.一种TVS半导体器件,其特征在于,包括:所述TVS半导体器件的第一端子,所述第一端子被配置为耦接到数据线或公共线中的一个;所述TVS半导体器件的第二端子,所述第二端子被配置为耦接到所述数据线或所述公共线中的不同一个;P‑N二极管,所述P‑N二极管具有耦接到所述第二端子的阳极,并且具有耦接到所述第一端子的阴极;和双极型晶体管,所述双极型晶体管具有耦接到所述第一端子的第一载流电极,耦接到所述第二端子的第二载流电极,以及浮置并且不直接耦接到电位的基极电极。
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