[实用新型]TVS半导体器件有效
| 申请号： | 201821127358.0 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN209016055U | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 陈宇鹏;S·M·埃特尔;U·夏尔马 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王美石;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及TVS半导体器件。在一个实施方案中，TVS半导体器件包括第一端子，被配置为耦接到数据线或公共线中的一个；第二端子，被配置为耦接到所述数据线或所述公共线中的不同一个；P‑N二极管，具有耦接到所述第二端子的阳极，并且具有耦接到所述第一端子的阴极；和双极型晶体管，具有耦接到所述第一端子的第一载流电极，耦接到所述第二端子的第二载流电极，以及浮置并且不直接耦接到电位的基极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 载流电极 公共线 数据线 电位 阴极 双极型晶体管 本实用新型 二极管 阳极 基极电极 浮置 配置 | ||
【主权项】：
1.一种TVS半导体器件，其特征在于，包括：所述TVS半导体器件的第一端子，所述第一端子被配置为耦接到数据线或公共线中的一个；所述TVS半导体器件的第二端子，所述第二端子被配置为耦接到所述数据线或所述公共线中的不同一个；P‑N二极管，所述P‑N二极管具有耦接到所述第二端子的阳极，并且具有耦接到所述第一端子的阴极；和双极型晶体管，所述双极型晶体管具有耦接到所述第一端子的第一载流电极，耦接到所述第二端子的第二载流电极，以及浮置并且不直接耦接到电位的基极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
