[实用新型]一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件有效

专利信息
申请号: 201821141262.X 申请日: 2018-07-18
公开(公告)号: CN208507682U 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 陈利;陈译;陈剑;姜帆;张军亮 申请(专利权)人: 厦门芯一代集成电路有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L23/367
代理公司: 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 代理人: 陈娟
地址: 361000 福建省厦门市中国(福建)*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件,包括外壳,还包括散热机构,所述散热机构为散热片,所述散热片固定于所述外壳的底部,所述散热片的表面开设有连接孔,且连接孔贯通所述散热片,所述外壳的底部开设有和所述连接孔对应的外壳接孔;本实用新型的有益效果是:本实用新型结构科学合理,使用安全方便,通过在外壳的底部固定散热片,并通过散热片的表面开设的连接孔和外壳的底部开设的外壳接孔将散热片固定稳固,当MOSFET器件焊接在电路板上时,散热片和电路板接触,使MOSFET器件以及电路板发出的热量更有效地传导到散热片上,再经散热片散发到周围空气中去,延长电路板以及MOSFET器件的使用寿命。
搜索关键词: 散热片 连接孔 电路板 本实用新型 功率MOSFET器件 散热片固定 表面开设 散热机构 屏蔽槽 接孔 电路板接触 固定散热片 结构科学 使用寿命 周围空气 有效地 传导 焊接 贯通 稳固 散发
【主权项】:
1.一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件,包括外壳(1),其特征在于:还包括散热机构,所述散热机构为散热片(3),所述散热片(3)固定于所述外壳(1)的底部,所述散热片(3)的表面开设有连接孔(4),且连接孔(4)贯通所述散热片(3),所述外壳(1)的底部开设有和所述连接孔(4)对应的外壳接孔(5)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门芯一代集成电路有限公司,未经厦门芯一代集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821141262.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top