[实用新型]一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件有效
申请号: | 201821141262.X | 申请日: | 2018-07-18 |
公开(公告)号: | CN208507682U | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 陈利;陈译;陈剑;姜帆;张军亮 | 申请(专利权)人: | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L23/367 |
代理公司: | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 陈娟 |
地址: | 361000 福建省厦门市中国(福建)*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件,包括外壳,还包括散热机构,所述散热机构为散热片,所述散热片固定于所述外壳的底部,所述散热片的表面开设有连接孔,且连接孔贯通所述散热片,所述外壳的底部开设有和所述连接孔对应的外壳接孔;本实用新型的有益效果是:本实用新型结构科学合理,使用安全方便,通过在外壳的底部固定散热片,并通过散热片的表面开设的连接孔和外壳的底部开设的外壳接孔将散热片固定稳固,当MOSFET器件焊接在电路板上时,散热片和电路板接触,使MOSFET器件以及电路板发出的热量更有效地传导到散热片上,再经散热片散发到周围空气中去,延长电路板以及MOSFET器件的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 散热片 连接孔 电路板 本实用新型 功率MOSFET器件 散热片固定 表面开设 散热机构 屏蔽槽 接孔 电路板接触 固定散热片 结构科学 使用寿命 周围空气 有效地 传导 焊接 贯通 稳固 散发 | ||
【主权项】:
1.一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件,包括外壳(1),其特征在于:还包括散热机构,所述散热机构为散热片(3),所述散热片(3)固定于所述外壳(1)的底部,所述散热片(3)的表面开设有连接孔(4),且连接孔(4)贯通所述散热片(3),所述外壳(1)的底部开设有和所述连接孔(4)对应的外壳接孔(5)。
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