[实用新型]一种半导体晶圆清洗装置有效
申请号: | 201821163657.X | 申请日: | 2018-07-20 |
公开(公告)号: | CN208538807U | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 刘金章;杨欣泽 | 申请(专利权)人: | 北京蜃景光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 黄彩荣 |
地址: | 100000 北京市海淀区中*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种半导体晶圆清洗装置,涉及半导体工艺技术领域,该半导体晶圆清洗装置包括清洗槽、晶圆承载机构、升降机构、循环冲洗机构、张力检测机构、超声波发生机构以及磁力发生机构,升降机构设置在清洗槽内,晶圆承载机构设置在升降机构的顶部并在升降机构的带动下相对清洗槽升降,循环冲洗机构的进液端设置在清洗槽的底部,张力检测机构与冲洗机构连接,磁力发生机构均设置在清洗槽的周缘并与张力检测机构电连接,超声波发生机构设置在清洗槽的底部。相较于现有技术,本实用新型提供的一种半导体晶圆清洗装置,能够彻底清洗晶圆表面,同时能够避免残留的去离子水破坏晶圆表面的结构,保证晶圆的质量。 | ||
搜索关键词: | 清洗槽 半导体晶圆 清洗装置 升降机构 张力检测机构 晶圆 超声波发生机构 磁力发生机构 本实用新型 承载机构 晶圆表面 循环冲洗 半导体工艺技术 冲洗机构 去离子水 电连接 进液端 清洗 升降 残留 保证 | ||
【主权项】:
1.一种半导体晶圆清洗装置,其特征在于,包括清洗槽、晶圆承载机构、升降机构、循环冲洗机构、张力检测机构、超声波发生机构以及磁力发生机构,所述清洗槽中储存有去离子水,所述升降机构设置在所述清洗槽内,所述晶圆承载机构设置在所述升降机构的顶部并在所述升降机构的带动下相对所述清洗槽升降,所述循环冲洗机构具有进液端和多个出液端,所述进液端设置在所述清洗槽的底部,多个所述出液端均设置在所述清洗槽的顶部并伸入所述清洗槽,所述张力检测机构与所述冲洗机构连接,用于检测通过所述循环冲洗机构的所述去离子水的表面张力值,所述磁力发生机构均设置在所述清洗槽的周缘并与所述张力检测机构电连接,用于依据所述表面张力值在所述清洗槽内形成磁场,所述超声波发生机构设置在所述清洗槽的底部,用于向所述清洗槽内的所述去离子水提供超声波。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造