[实用新型]集成电路储存器有效
| 申请号： | 201821177365.1 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN208477922U | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C5/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种集成电路存储器。由于集成电路存储器的组合存储单元具有相互补偿的多个存储子单元(包括第一存储子单元和第二存储子单元)，从而在对组合存储单元执行读取操作时，可利用多个存储子单元对共同连接的位线进行充电，以确保位线的电平值达到所需的读取电平值，进而可使存储数据能够从组合存储单元中被成功读取出。即，本实用新型提供的集成电路存储器其组合存储单元具备自我补偿功能，能够实现多位元信号传递(例如，双位元信号传递)，有利于保障组合存储单元的读取性能。 | ||
| 搜索关键词： | 组合存储单元 存储子单元 集成电路存储器 读取 本实用新型 信号传递 位线 补偿功能 存储数据 读取操作 读取性能 储存器 多位 双位 集成电路 充电 成功 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路储存器，其特征在于，包括至少一个组合存储单元，每一所述组合存储单元包括第一存储子单元和第二存储子单元，所述第一存储子单元和所述第二存储子单元连接至同一位线上，用于在所述组合存储单元执行读取操作的过程中，所述第一存储子单元在第一时间段对所述位线进行充电至第一电平值，以及所述第二存储子单元在第二时间段对所述位线进行充电至第二电平值，其中所述第二时间段晚于所述第一时间段。
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