[实用新型]一种碳化硅MOSFET驱动电路

摘要

本实用新型公开了一种碳化硅MOSFET驱动电路，包括驱动变压器T4、二极管D14、电容C60、电阻R51、三极管V14、二极管D10、电阻R55、MOS管V4、二极管D13、电容C59、电阻R112、电阻R113、电阻R10、电容C61、二极管D15、二极管D7、MOS管Q14，MOS管Q14为要驱动的碳化硅NMOSFET，驱动变压器T4输入绕组与输出绕组同相，电容C59为MOS管Q14的栅极驱动电容，电容C59提高了MOS管Q14的抗干扰能力，防止噪声等引起的误导通。本实用新型引入了MOS管驱动电容的辅助放电通路，大幅提升了MOS管的关断速度，消除了缓慢导通造成的隐患，同时提高了导通效率及抗干扰能力。

主权项

1.一种碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于：包括驱动变压器T4、二极管D14、电容C60、电阻R51、三极管V14、二极管D10、电阻R55、MOS管V4、二极管D13、电容C59、电阻R112、电阻R113、电阻R10、电容C61、二极管D15、二极管D7、MOS管Q14，所述驱动变压器T4的一个输出端同时连接二极管D14及电容C60的一端，二极管D14及电容C60的另一端同时连接电阻R51的一端、电阻R55的一端、MOS管V4的G极、二极管D10的正极，所述电阻R51的另一端连接三极管V14的基极，三极管V14的发射极同时连接MOS管V4的S极、二极管D10及二极管D13的负极、电阻R113的一端及电阻R55的另一端，所述三极管V14的集电极同时连接MOS管V4的D极及电阻R112的一端，所述电阻R112的另一端连接二极管D7的正极，所述二极管D13的正极同时连接电容C59的一端、电阻R113的另一端、电阻R10的一端、所述MOS管Q14的G极，MOS管Q14的S极、电阻R10的另一端、电容C59的另一端、二极管D7的负极、二极管D15及电容C61的一端同时接地，所述二极管D15及电容C61的另一端同时接驱动变压器T4的另一输出端。