[实用新型]整流芯片的封装结构

摘要

本实用新型公开一种整流芯片的封装结构，包括由环氧封装体包覆的第一、第二、第三、第四二极管芯片、正极金属条和负极金属条，所述第一二极管芯片和第二二极管芯片分别通过焊锡反向贴装于第一芯片基板和第二芯片基板上表面，所述第一二极管芯片的负极端、第二二极管芯片的负极端均通过第一连接片与正极金属条上表面电连接，所述第三二极管芯片的正极端、第四二极管芯片的正极端均通过第二连接片与负极金属条上表面电连接，所述第一二极管芯片、第二二极管芯片各自下方的第一芯片基板和第二芯片基板上分别设置有第一凹槽和第二凹槽。本实用新型可以在保证焊料用量的同时防止多于焊料外溢而发生短路等情况。

主权项

1.一种整流芯片的封装结构，其特征在于：包括由环氧封装体（1）包覆的第一、第二、第三、第四二极管芯片（2、3、4、5）、正极金属条（6）和负极金属条（7），所述环氧封装体（1）内部左、右侧分别对称固定有第一芯片基板（8）和第二芯片基板（9），所述正极金属条（6）和负极金属条（7）分别位于第一芯片基板（8）和第二芯片基板（9）外侧；所述第一二极管芯片（2）的正极端与第一芯片基板（8）上表面电连接，所述第三二极管芯片（4）的负极端与第一芯片基板（8）上表面电连接，所述第二二极管芯片（3）的正极端与第二芯片基板（9）上表面电连接，所述第四二极管芯片（5）的负极端与第二芯片基板（9）上表面电连接；所述第一二极管芯片（2）和第二二极管芯片（3）分别通过焊锡反向贴装于第一芯片基板（8）和第二芯片基板（9）上表面，所述第一二极管芯片（2）的负极端、第二二极管芯片（3）的负极端均通过第一连接片（10）与正极金属条（6）上表面电连接，所述第三二极管芯片（4）的正极端、第四二极管芯片（5）的正极端均通过第二连接片（11）与负极金属条（7）上表面电连接；所述第一二极管芯片（2）、第二二极管芯片（3）各自下方的第一芯片基板（8）和第二芯片基板（9）上分别设置有第一凹槽（13）和第二凹槽（14），所述第一二极管芯片（2）位于第一芯片基板（8）的第一凹槽（13）内部区域，所述第二二极管芯片（3）位于第二芯片基板（9）的第二凹槽（14）内部区域；所述第一芯片基板（8）和第二芯片基板（9）作为交流输入端，所述负极金属条（7）作为直流负极端，所述正极金属条（6）作为直流正极端，所述第一芯片基板（8）、第二芯片基板（9）、正极金属条（6）和负极金属条（7）上均连接有引脚（12）；所述第一连接片（10）、第二连接片（11）各自的第一焊接部（31）和第二焊接部（32）之间具有一连接区（33），此连接区（33）与第一焊接部（31）、第二焊接部（32）之间分别设置有第一折弯部（34）和第二折弯部（35），使得连接区（33）高度高于第一焊接部（31）和第二焊接部（32）。