[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201821258040.6 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN208706644U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 佐野雄一 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够抑制在封装内部产生的电磁波噪音泄漏的半导体装置。本实施方式的半导体装置具备衬底。半导体芯片搭载在衬底上。第1与第2接地配线设置在衬底的内部。密封树脂层以将半导体芯片密封的方式设置在衬底上。导电性的屏蔽层设置在密封树脂层的上表面、密封树脂层的侧面、及衬底的侧面，且在衬底的侧面连接于第1与第2接地配线。第1与第2接地配线通过在与屏蔽层的接触面附近展开而相互连接。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体装置 密封树脂层 接地配线 半导体芯片 屏蔽层 导电性 电磁波噪音 侧面连接 方式设置 侧面 上表面 封装 密封 泄漏 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于具备：衬底；半导体芯片，搭载在所述衬底上；第1与第2接地配线，设置在所述衬底的内部；密封树脂层，以将所述半导体芯片密封的方式设置在所述衬底上；以及导电性的屏蔽层，设置在所述密封树脂层的上表面、所述密封树脂层的侧面、及所述衬底的侧面，且在所述衬底的侧面连接于所述第1与第2接地配线；且所述第1与第2接地配线通过在与所述屏蔽层的接触面附近展开而相互连接。
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