[实用新型]半导体装置有效
申请号: | 201821258853.5 | 申请日: | 2018-08-06 |
公开(公告)号: | CN209016056U | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 饭岛纯;中嶋由美 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L27/11526 | 分类号: | H01L27/11526;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 实施方式提供一种能够在配线上恰当且容易地形成插塞的半导体装置。根据一实施方式,半导体装置具备第1配线,该第1配线包含沿着第1方向延伸的第1直线部、及相对于第1直线部弯曲的第1弯曲部。装置还具备第2配线,该第2配线包含:第2直线部,沿着第1方向延伸,且在与第1方向垂直的第2方向上与第1直线部邻接;及第2弯曲部,相对于第2直线部弯曲。装置还具备第1插塞,该第1插塞设置在第1弯曲部上,或设置在第1直线部中的不与第2直线部在第2方向对向的第1非对向部分上。装置还具备第2插塞,该第2插塞设置在第2弯曲部上,或设置在第2直线部中的不与第1直线部在第2方向对向的第2非对向部分上。 | ||
搜索关键词: | 直线部 插塞 配线 弯曲部 对向 半导体装置 方向延伸 方向垂直 邻接 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于具备:第1配线,包含沿着第1方向延伸的第1直线部、及相对于所述第1直线部弯曲的第1弯曲部;第2配线,包含沿着所述第1方向延伸且在与所述第1方向垂直的第2方向上与所述第1直线部邻接的第2直线部、及相对于所述第2直线部弯曲的第2弯曲部;第1插塞,设置在所述第1弯曲部上,或设置在所述第1直线部中的不与所述第2直线部在所述第2方向对向的第1非对向部分上;以及第2插塞,设置在所述第2弯曲部上,或设置在所述第2直线部中的不与所述第1直线部在所述第2方向对向的第2非对向部分上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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