[实用新型]一种动态随机存储器结构

摘要

本实用新型涉及半导体生产领域，公开了一种动态随机存储器结构，包括具有位元线和字元线的半导体衬底、位于所述位元线的两侧以及所述字元线间隔的区域的上方的插塞孔以及设置于所述插塞孔的两侧的复合电介质层，所述复合电介质层包括第一位线间隔层、第二位线间隔层以及位于所述第一位线间隔层和所述第二位线间隔层的空气间隔。该动态随机存储器结构中采用具有极低介电常数的空气作为电介质材料，从而减少电容连接线间的寄生电容，提高了该动态随机存储器的性能。

主权项

1.一种动态随机存储器结构，其特征在于，包括具有位元线(10)和字元线(12)的半导体衬底(13)、位于所述位元线(10)的两侧以及所述字元线(12)间隔的区域的上方的插塞孔(22)以及设置于所述插塞孔(22)的两侧的插塞隔离墙(21)，在所述插塞隔离墙(21)的侧壁和所述位元线(10)的侧壁形成一复合电介质层，所述复合电介质层包括第一位线间隔层(23)、第二位线间隔层(25)以及位于所述第一位线间隔层(23)和所述第二位线间隔层(25)的空气间隔(28)，在所述第一位线间隔层(23)和所述第二位线间隔层(25)上覆盖一层遮盖层(29)，以气密封闭所述空气间隔(28)。