[实用新型]一种氮化镓微波集成电路脉冲调制电路有效
| 申请号： | 201821424527.7 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN208608971U | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 姜世君 | 申请（专利权）人： | 成都天箭科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K5/00 | 分类号： | H03K5/00 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 马林中 |
| 地址： | 610041 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮化镓微波集成电路脉冲调制电路，涉及脉冲调制电路技术领域，本实用新型包括MOSFET驱动器和与MOSFET连接的调制脉冲，所述MOSFET驱动器为半桥MOSFET驱动器，所述半桥MOSFET驱动器分别连接有MOSFET管A和MOSFET管B，MOSFET管A和MOSFET管B的栅极分别与半桥MOSFET驱动器连接，其中MOSFET管A的漏极连接有电源电压VDD，源极分别与功率放大模块和MOSFET管B的漏极连接，MOSFET管B的源极接地，本实用新型能够确保功率放大模块的工作状态的迅速转换，避免拖尾，提高了发射射频信号关断比，提高了功率放大模块的工作速度，使得功率放大模块的工作效率得到保障。 | ||
| 搜索关键词： | 功率放大模块 脉冲调制电路 本实用新型 半桥 微波集成电路 氮化镓 漏极 发射射频信号 电源电压 调制脉冲 工作效率 源极接地 关断 拖尾 源极 转换 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓微波集成电路脉冲调制电路，包括MOSFET驱动器和与MOSFET连接的调制脉冲，其特征在于：所述MOSFET驱动器为半桥MOSFET驱动器，所述半桥MOSFET驱动器分别连接有MOSFET管A和MOSFET管B，MOSFET管A和MOSFET管B的栅极分别与半桥MOSFET驱动器连接，其中MOSFET管A的漏极连接有电源电压VDD，源极分别与功率放大模块和MOSFET管B的漏极连接，MOSFET管B的源极接地。
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