[实用新型]位线结构及存储器有效

专利信息
申请号: 201821428389.X 申请日: 2018-08-30
公开(公告)号: CN208655645U 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 祝啸 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型提供了一种位线结构及存储器,所述位线结构包括基底,位于基底上的多条位线,多条位线间隔排列,以及隔离材料层、多孔绝缘材料层与空气隙,隔离材料层位于基底和位线上,隔离材料层覆盖位线的顶部和侧壁,多孔绝缘材料层位于隔离材料层上,多孔绝缘材料层覆盖隔离材料层,且多孔绝缘材料层中具有多个孔隙,空气隙位于位线两侧并在隔离材料层和多孔绝缘材料层之间,且空气隙与多孔绝缘材料层中的多个孔隙连通,所述空气隙能够减小位线之间的寄生电容,提升器件的性能。
搜索关键词: 多孔绝缘材料 位线 隔离材料层 空气隙 位线结构 基底 存储器 本实用新型 覆盖隔离 寄生电容 间隔排列 孔隙连通 提升器件 材料层 侧壁 减小 覆盖
【主权项】:
1.一种位线结构,其特征在于,包括:基底,位于所述基底上的多条位线,多条所述位线间隔排列;隔离材料层,位于所述基底和所述位线上,所述隔离材料层覆盖所述位线的顶部和侧壁;多孔绝缘材料层,位于所述隔离材料层上,所述多孔绝缘材料层覆盖所述隔离材料层,且所述多孔绝缘材料层中具有多个孔隙;空气隙,位于所述位线两侧并在所述隔离材料层和所述多孔绝缘材料层之间,且所述空气隙与所述多孔绝缘材料层中的多个孔隙连通。
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