[实用新型]位线结构及存储器有效
申请号: | 201821428389.X | 申请日: | 2018-08-30 |
公开(公告)号: | CN208655645U | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 祝啸 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供了一种位线结构及存储器,所述位线结构包括基底,位于基底上的多条位线,多条位线间隔排列,以及隔离材料层、多孔绝缘材料层与空气隙,隔离材料层位于基底和位线上,隔离材料层覆盖位线的顶部和侧壁,多孔绝缘材料层位于隔离材料层上,多孔绝缘材料层覆盖隔离材料层,且多孔绝缘材料层中具有多个孔隙,空气隙位于位线两侧并在隔离材料层和多孔绝缘材料层之间,且空气隙与多孔绝缘材料层中的多个孔隙连通,所述空气隙能够减小位线之间的寄生电容,提升器件的性能。 | ||
搜索关键词: | 多孔绝缘材料 位线 隔离材料层 空气隙 位线结构 基底 存储器 本实用新型 覆盖隔离 寄生电容 间隔排列 孔隙连通 提升器件 材料层 侧壁 减小 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种位线结构,其特征在于,包括:基底,位于所述基底上的多条位线,多条所述位线间隔排列;隔离材料层,位于所述基底和所述位线上,所述隔离材料层覆盖所述位线的顶部和侧壁;多孔绝缘材料层,位于所述隔离材料层上,所述多孔绝缘材料层覆盖所述隔离材料层,且所述多孔绝缘材料层中具有多个孔隙;空气隙,位于所述位线两侧并在所述隔离材料层和所述多孔绝缘材料层之间,且所述空气隙与所述多孔绝缘材料层中的多个孔隙连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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