[实用新型]沟槽隔离结构有效
申请号: | 201821434102.4 | 申请日: | 2018-09-03 |
公开(公告)号: | CN209045526U | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型提供一种沟槽隔离结构,结构包括:衬底,衬底中具有沟槽;绝缘介质层,包括填充于沟槽的第一绝缘部以及凸出于衬底顶面的第二绝缘部,第二绝缘部包括上部的凸起部以及位于凸起部及第一绝缘部之间的凸起连接部;侧壁保护部,覆盖于述第二绝缘部的凸起部的侧壁;以及侧壁延伸部,覆盖于第二绝缘部的凸起连接部的侧壁;侧壁保护部与绝缘介质层具有不同材质。本实用新型通过设置支撑层使得沟槽隔离结构的绝缘介质具有凸出于衬底的凸起部,并通过对该凸起部的周侧形成侧壁延伸部及侧壁保护部,侧壁保护部与绝缘介质的材质不同而具有较高的刻蚀选择比,从而可以对绝缘介质进行保护,减小或者避免绝缘介质的侧腐蚀。 | ||
搜索关键词: | 绝缘部 凸起部 侧壁保护 绝缘介质 衬底 沟槽隔离结构 本实用新型 侧壁延伸部 绝缘介质层 凸起连接部 侧壁 刻蚀选择比 支撑层 减小 覆盖 填充 腐蚀 | ||
【主权项】:
1.一种沟槽隔离结构,其特征在于,包括:衬底,所述衬底中具有沟槽;绝缘介质层,包括填充于所述沟槽的第一绝缘部以及凸出于所述第一绝缘部顶面的第二绝缘部,所述第二绝缘部包括上部的凸起部以及位于所述凸起部及所述第一绝缘部之间的凸起连接部;侧壁保护部,覆盖于述第二绝缘部的所述凸起部的侧壁;以及侧壁延伸部,覆盖于所述第二绝缘部的所述凸起连接部的侧壁;其中,所述侧壁保护部与所述绝缘介质层具有不同材质。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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