[实用新型]晶体管及集成电路存储器

摘要

本实用新型涉及集成电路领域，提供了一种晶体管和一种集成电路存储器。所提供的晶体管包括形成有栅极沟槽和源/漏区的衬底，栅极沟槽中填充有栅极介质层、第一栅极层和第二栅极层，其中沿栅极沟槽的底壁向衬底的表面延伸的方向，第一栅极层的功函数逐渐降低，与功函数均一的埋置栅极相比，本实用新型提供的晶体管在工作时，与源/漏区交叠处的电场强度较小，电荷由源/漏区注入沟道区的势垒降低，有助于加快晶体管的开启速度，降低GIDL电流。本实用新型提供的集成电路存储器包括上述晶体管，所述集成电路存储器例如是DRAM阵列，通过降低GIDL电流，有利于提升DRAM阵列的可靠性。

主权项

1.一种晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有栅极沟槽以及从所述栅极沟槽的两侧延伸到所述衬底的表面的源/漏区；所述栅极沟槽中填充有栅极介质层、第一栅极层和第二栅极层，所述栅极介质层保形地覆盖于所述栅极沟槽的底壁和侧壁，所述第二栅极层填充所述栅极沟槽；所述第一栅极层位于所述栅极介质层和所述第二栅极层之间，并且，沿所述栅极沟槽的底壁向所述衬底的表面延伸的方向，所述第一栅极层的功函数逐渐降低。