[实用新型]集成电路存储器的晶体管组合结构及半导体集成电路器件有效
申请号: | 201821450553.7 | 申请日: | 2018-09-05 |
公开(公告)号: | CN208655643U | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 赵亮 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L29/10;H01L21/8239 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供了一种集成电路存储器的晶体管组合结构及半导体集成电路器件。通过在沟道区的衬底中形成相对于沟道区的第一顶表面凹陷的第一缺口,以增加沟道区与字线交界的有效面积。因此,在由有源区和字线构成的存储晶体管导通时,即可使所形成的导电沟道相应的沿着沟道区与字线的交界面形貌反型形成,从而可增加导电沟道的长度和/或宽度,进而能够有效改善存储晶体管的短沟道效应并可提高存储晶体管的导通电流。 | ||
搜索关键词: | 沟道区 存储晶体管 字线 半导体集成电路器件 集成电路存储器 晶体管组合结构 导电沟道 本实用新型 短沟道效应 交界面形貌 导通电流 有效面积 顶表面 凹陷 衬底 导通 反型 源区 交界 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路存储器的晶体管组合结构,其特征在于,包括:衬底,所述衬底中具有多个有源区;以及,多条字线,形成在所述衬底中,所述字线在字线延伸方向上与相应的所述有源区相交,由所述有源区和所述字线在所述有源区内的部分共同构成集成电路存储器的存储晶体管;其中,所述有源区中对应所述字线的凹槽部分构成沟道区,对应所述沟道区的所述衬底具有第一顶表面,并且在所述沟道区的衬底中形成有相对所述第一顶表面凹陷的至少一个第一缺口,所述字线覆盖所述沟道区的所述第一顶表面并填充所述第一缺口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821450553.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的