[实用新型]集成电路存储器的晶体管组合结构及半导体集成电路器件有效

专利信息
申请号: 201821450553.7 申请日: 2018-09-05
公开(公告)号: CN208655643U 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 赵亮 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L27/105 分类号: H01L27/105;H01L29/10;H01L21/8239
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供了一种集成电路存储器的晶体管组合结构及半导体集成电路器件。通过在沟道区的衬底中形成相对于沟道区的第一顶表面凹陷的第一缺口,以增加沟道区与字线交界的有效面积。因此,在由有源区和字线构成的存储晶体管导通时,即可使所形成的导电沟道相应的沿着沟道区与字线的交界面形貌反型形成,从而可增加导电沟道的长度和/或宽度,进而能够有效改善存储晶体管的短沟道效应并可提高存储晶体管的导通电流。
搜索关键词: 沟道区 存储晶体管 字线 半导体集成电路器件 集成电路存储器 晶体管组合结构 导电沟道 本实用新型 短沟道效应 交界面形貌 导通电流 有效面积 顶表面 凹陷 衬底 导通 反型 源区 交界
【主权项】:
1.一种集成电路存储器的晶体管组合结构,其特征在于,包括:衬底,所述衬底中具有多个有源区;以及,多条字线,形成在所述衬底中,所述字线在字线延伸方向上与相应的所述有源区相交,由所述有源区和所述字线在所述有源区内的部分共同构成集成电路存储器的存储晶体管;其中,所述有源区中对应所述字线的凹槽部分构成沟道区,对应所述沟道区的所述衬底具有第一顶表面,并且在所述沟道区的衬底中形成有相对所述第一顶表面凹陷的至少一个第一缺口,所述字线覆盖所述沟道区的所述第一顶表面并填充所述第一缺口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821450553.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top