[实用新型]一种半导体存储器

摘要

本实用新型提供一种半导体存储器，该半导体存储器的在半导体衬底具有多个间隔排布的有源区；沿预定方向形成的位线接触窗；沿垂直于预定方向的方向形成的字线。该字线将位线接触窗切断，两条字线中间形成独立的位线接触窗。减小了黄光对准形成位线接触窗的难度，避免了现有技术中形成位线接触孔对准偏差造成的电阻过大的问题。在位线接触窗上方形成有位线；该位线与位线接触窗之间可以具有一定的偏移量，这样既可以实现良好的接触，又能减小电阻。沿字线的平行方向在有源区之间形成隔离线介质层；在字线、位线及所述隔离线介质层之间形成导电层。通过字线隔离层和位线隔离层作为侧壁实现存储接触窗之间的自对准隔离，可操作性强。

主权项

1.一种半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器至少包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有多个间隔排布的有源区，所述有源区包括第一接触区和位于所述第一接触区两侧的第二接触区；位线接触窗，所述位线接触窗沿预定方向形成在所述半导体衬底上；字线，所述字线沿垂直于所述预定方向的方向形成在所述半导体衬底上，所述字线将所述位线接触窗切断，两条字线中间形成独立的位线接触窗；以及位线，所述位线形成在所述位线接触窗上方；其中，所述半导体衬底上具有隔离结构，所述隔离结构在所述半导体衬底上隔离出所述多个有源区；并且所述半导体衬底上还生长有第一介质层以保护所述有源区，所述第一介质层包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或它们的组合。