[实用新型]半导体加工装置有效

专利信息
申请号: 201821552163.0 申请日: 2018-09-21
公开(公告)号: CN208706575U 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L21/033 分类号: H01L21/033
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 袁礼君;阚梓瑄
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型公开一种半导体加工装置,其包括:腔体,包括内腔,所述内腔具有侧壁和顶壁;第一流道,位于所述侧壁外,所述第一流道还具有出气孔;多个排气孔,位于所述侧壁上,用于连通所述内腔与所述第一流道;以及进气口,位于所述顶壁的中部,连通所述内腔;载物平台,设置在所述腔体内;其中,多个所述排气孔沿着所述第一流道排列,随着所述排气孔到所述出气孔的距离的增长,所述排气孔的孔径具有增长的趋势。采用这种半导体加工装置来制作薄膜,则硅片上薄膜的局部应力的方向均趋于背离硅片的圆心。
搜索关键词: 第一流道 排气孔 内腔 半导体加工装置 侧壁 出气孔 硅片 顶壁 连通 进气口 本实用新型 圆心 局部应力 载物平台 上薄膜 腔体 薄膜 背离 体内 制作
【主权项】:
1.一种半导体加工装置,其特征在于,包括:腔体(10),包括内腔(16),所述内腔具有侧壁(11)和顶壁(13);第一流道(111),位于所述侧壁(11)外,所述第一流道(111)还具有出气孔(115);多个排气孔(114),位于所述侧壁(11)上,用于连通所述内腔(16)与所述第一流道(111);以及进气口(131),位于所述顶壁(13)的中部,连通所述内腔(16);载物平台(14),设置在所述腔体(10)内;其中,多个所述排气孔(114)沿着所述第一流道(111)排列,随着所述排气孔(114)到所述出气孔(115)的距离的增长,所述排气孔(114)的孔径具有增长的趋势。
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