[实用新型]基片载板及具有该基片载板的MOCVD设备有效
申请号: | 201821617060.8 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN209081981U | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 朱磊;倪志松;尹翔 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/18 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹;吴欢燕 |
地址: | 102209 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型涉及太阳能电池制造设备技术领域,尤其涉及一种基片载板及具有该基片载板的MOCVD设备。该基片载板包括第一基板和第二基板,第一基板和第二基板对设的侧边上分别设有插头部和插座部,第一基板和第二基板之间通过插头部和插座部相对的插接组合;基于该基片载板提出了一种MOCVD设备。该基片载板利用拼接结构将多块基板通过拼装连接为一体,可以有效解决大尺寸基片载板加工难度大的问题,在保证载板拼接结构强度的同时,降低加工成本,提高加工效率,有助于提升芯片产能,并且该基片载板的使用强度能够得到有效保证,同时具有较小的变形量,能够很好的应用在MOCVD设备中,从而确保工艺质量满足要求。 | ||
搜索关键词: | 基片载板 第二基板 第一基板 拼接结构 插头部 插座部 载板 本实用新型 大尺寸基片 太阳能电池 插接组合 加工效率 拼装连接 有效解决 制造设备 变形量 产能 多块 基板 加工 保证 芯片 应用 | ||
【主权项】:
1.一种基片载板,其特征在于,包括第一基板和第二基板,所述第一基板和第二基板对设的侧边上分别设有插头部和插座部,所述第一基板和所述第二基板之间通过所述插头部和所述插座部相对的插接组合。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的