[实用新型]待涂布电磁屏蔽胶的Sip模组及其涂布装置有效
申请号: | 201821641907.6 | 申请日: | 2018-10-10 |
公开(公告)号: | CN208706582U | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 李瑶;张林;赵保杰 | 申请(专利权)人: | 环维电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/552;H01L23/31;H01L21/67 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种待涂布电磁屏蔽胶的Sip模组及其涂布装置,待涂布电磁屏蔽胶的SiP模组包括基板、多个电子元件及塑封层,基板包括支撑层、导电层和绝缘层,在绝缘层内设有间隔导电端和边缘导电端,两种导电端的下端面与导电层连接,上端面与基板的上端面齐平;电子元件焊接在基板上表面,有抗电磁干扰要求的电子元件单独布设于间隔导电端一侧;塑封层包覆电子元件;塑封层内开设有自上而下贯通塑封层的间隔屏蔽槽和共型屏蔽槽,通过真空涂布方式向间隔屏蔽槽和共型屏蔽槽内填充屏蔽胶。本实用新型的SiP模组制作方法可以同时设置间隔屏蔽层和共型屏蔽层,且涂布装置简单,制作成本低,制作工艺少,可以节省胶料,降低产品造价。 | ||
搜索关键词: | 屏蔽槽 塑封层 电磁屏蔽胶 涂布装置 导电端 基板 绝缘层 本实用新型 导电层 屏蔽层 上端面 电子元件焊接 基板上表面 抗电磁干扰 产品造价 真空涂布 制作工艺 下端面 支撑层 布设 包覆 导电 胶料 内开 屏蔽 齐平 填充 制作 贯通 | ||
【主权项】:
1.一种待涂布电磁屏蔽胶的SiP模组,其特征在于,包括:基板,所述基板包括自下而上依次层叠设置的支撑层、导电层和绝缘层,所述基板上预设有若干的单个SiP模组布设区和用于分隔单个SiP模组的切割道,在所述绝缘层内、单个SiP模组布设区布设有至少一个间隔导电端,在所述绝缘层内、所述切割道上设置边缘导电端,所述间隔导电端和所述边缘导电端的下端面分别与所述导电层连接,所述间隔导电端和所述边缘导电端的上端面与所述基板的上端面齐平;至少两个电子元件,所述电子元件焊接在所述基板的绝缘层上表面上,且将有抗电磁干扰要求的所述电子元件单独布设于所述间隔导电端的一侧;塑封层,所述塑封层设置在所述基板的上表面上,且包覆所述电子元件;在所述塑封层内开设有间隔屏蔽槽和共型屏蔽槽,所述间隔屏蔽槽和所述共型屏蔽槽分别自上而下贯通所述塑封层,所述共型屏蔽槽开设于所述边缘导电端的正上方,使所述边缘导电端的上端面露出;所述间隔屏蔽槽开设于所述间隔导电端的正上方,使所述边缘导电端的上端面露出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于环维电子(上海)有限公司,未经环维电子(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821641907.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:埋入式芯片
- 下一篇:一种无定位圆形产品同心度保证模具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造