[实用新型]一种电平转换电路有效
| 申请号： | 201821693423.6 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN208836110U | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 何永强;程剑涛;杜黎明;罗旭程;张艳萍 | 申请（专利权）人： | 上海艾为电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李婷婷;王宝筠 |
| 地址： | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种电平转换电路，在现有电平转换电路中增加设置了电阻恒定的第一阻抗和第二阻抗起到限流作用。且通过设置第一阻抗和第二阻抗的位置，避免第一阻抗和第二阻抗的加入引入新的电容，从而影响电平转换电路的高速传输性能。另外，本实用新型提供的电平转换电路还能够在VDD电压变化时，尤其当VDD较低时，同样具有较好的高速传输性能。而且相对于现有技术中的电平转换电路的最高速传输能力有所提高。 | ||
| 搜索关键词： | 电平转换电路 阻抗 高速传输性能 本实用新型 传输能力 电压变化 电阻恒定 限流作用 影响电平 转换电路 电容 引入 申请 | ||
【主权项】：
1.一种电平转换电路，其特征在于，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，以及第一阻抗和第二阻抗；其中，所述第一NMOS管的栅极作为所述电平转换电路的第一输入端；所述第二NMOS管的栅极作为所述电平转换电路的第二输入端；所述第一PMOS管的栅极、所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极共接，作为所述电平转换电路的第一输出端；所述第二PMOS管的栅极、所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极共接，作为所述电平转换电路的第二输出端；所述第一PMOS管的源极以及所述第一阻抗的第一端相连；所述第二PMOS管的源极以及所述第二阻抗的第一端相连；所述第一阻抗的第二端与所述第二阻抗的第二端共接，连接至电源；其中，所述第一阻抗和所述第二阻抗为恒定阻抗，所述恒定阻抗为不随电流变化的阻抗。
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