[实用新型]功率MOSFET器件散热装置及功率MOSFET器件有效
| 申请号： | 201821710262.7 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN208923102U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王明玮 | 申请（专利权）人： | 深圳真茂佳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人： | 刘抗美 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市西*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种功率MOSFET器件散热装置，包括芯片封装壳及第一散热片。芯片封装壳用于封装芯片，芯片封装壳上设有S引脚和D引脚，第一散热片内置于所述芯片封装壳内，第一散热片紧贴于芯片S极，芯片封装壳朝向第一散热片的一面上开设有第一通孔，第一散热片背向所述芯片的一面与第一通孔相对设置，使第一散热片背向芯片的一面露出成为第一露出面，第一散热片与S引脚电连接。通过设置与S引脚电连接的第一散热片，增大了S引脚与PCB板的焊接面积，降低了损耗功率，减少了热量的产生。在使用时，第一散热片露出面与PCB板紧贴固定，提高了功率MOSFET器件整体的散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 散热片 芯片封装 功率MOSFET器件 引脚 散热装置 芯片 电连接 露出面 通孔 本实用新型 封装芯片 紧贴固定 散热效果 损耗功率 相对设置 焊接 紧贴 | ||
【主权项】：
1.一种功率MOSFET器件散热装置，其特征在于，包括芯片封装壳及第一散热片，所述芯片封装壳用于封装芯片，所述芯片封装壳上设有S引脚和D引脚，所述第一散热片内置于所述芯片封装壳内，所述第一散热片紧贴于芯片S极，所述芯片封装壳朝向所述第一散热片的一面上开设有第一通孔，所述第一散热片背向所述芯片的一面与所述第一通孔相对设置，使所述第一散热片背向所述芯片的一面露出成为第一露出面，所述第一散热片与所述S引脚电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳真茂佳半导体有限公司，未经深圳真茂佳半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821710262.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于变频器上的IGBT散热器
- 下一篇：半导体开关管散热结构及直流变换器
