[实用新型]一种高速晶体管有效
| 申请号： | 201821733956.2 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN208819889U | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 张宇;丁庆;吴光胜;冯军正;蓝永海 | 申请（专利权）人： | 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 518102 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于电子技术领域，公开了一种高速晶体管，高速晶体管包括衬底层；设置在衬底层上表面的沟道层；设置在沟道层上表面的第一非掺杂(AlxGa1‑x)2O3层；设置在第一非掺杂(AlxGa1‑x)2O3层上表面的高掺杂(AlxGa1‑x)2O3层；设置在高掺杂(AlxGa1‑x)2O3层上表面的电压调制层；间隔设置在电压调制层上表面的源电极和漏电极；及设置在电压调制层上表面，且位于源电极和漏电极之间区域的栅电极；由于通过超宽禁带半导体材料体系制备新型高速大功率晶体管，并通过高掺杂(AlxGa1‑x)2O3层调制形成异质结二维电子气，有效提高了器件的频率和功率性能，同时提高了器件材料自身击穿电压，从而降低对器件封装的要求，增加了产品的市场竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 上表面 高速晶体管 电压调制 高掺杂 衬底层 非掺杂 沟道层 漏电极 源电极 禁带半导体材料 电子技术领域 本实用新型 二维电子气 高速大功率 市场竞争力 功率性能 击穿电压 间隔设置 器件材料 器件封装 异质结 栅电极 晶体管 超宽 调制 制备 | ||
【主权项】：
1.一种高速晶体管，其特征在于，包括：衬底层；设置在所述衬底层上表面的沟道层；设置在所述沟道层上表面的第一非掺杂(AlxGa1‑x)2O3层；设置在所述第一非掺杂(AlxGa1‑x)2O3层上表面的高掺杂(AlxGa1‑x)2O3层；设置在所述高掺杂(AlxGa1‑x)2O3层上表面的电压调制层；间隔设置在所述电压调制层上表面的源电极和漏电极；及设置在所述电压调制层上表面，且位于所述源电极和所述漏电极之间区域的栅电极。
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