[实用新型]一种采用GP工艺的低温漂稳压二极管有效
| 申请号： | 201821819150.5 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN209447792U | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 董珂 | 申请（专利权）人： | 济南固锝电子器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/861;H01L23/29;H01L23/48 |
| 代理公司： | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人： | 罗文曌 |
| 地址： | 250101 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体功率器件电子技术领域，具体地说是一种采用GP工艺的低温漂稳压二极管。该实用新型的采用GP工艺的低温漂稳压二极管包括稳压芯片一、稳压芯片二和封装层，稳压芯片一和稳压芯片二上均镀有铝膜，稳压芯片一的N区与稳压芯片二的N区通过所述铝膜高温焊接成一体，稳压芯片一的P区和稳压芯片二的P区分别连接有钼粒层，两钼粒层分别通过焊片连接有引线，封装层设于稳压芯片一、稳压芯片二、钼粒层和焊片外，用于封装稳压芯片一、稳压芯片二、钼粒层和焊片。本实用新型的采用GP工艺的低温漂稳压二极管结构设计合理，提高可靠性，具有良好的推广应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 稳压芯片 稳压二极管 低温漂 焊片 本实用新型 封装层 铝膜 半导体功率器件 电子技术领域 高温焊接 封装 | ||
【主权项】：
1.一种采用GP工艺的低温漂稳压二极管，其特征在于：包括稳压芯片一、稳压芯片二和封装层，稳压芯片一和稳压芯片二上均镀有铝膜，稳压芯片一的N区与稳压芯片二的N区通过所述铝膜高温焊接成一体，稳压芯片一的P区和稳压芯片二的P区分别连接有钼粒层，两钼粒层分别通过焊片连接有引线，封装层设于稳压芯片一、稳压芯片二、钼粒层和焊片外，用于封装稳压芯片一、稳压芯片二、钼粒层和焊片。
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