[实用新型]对位部件及反应腔室有效
申请号: | 201821834485.4 | 申请日: | 2018-11-08 |
公开(公告)号: | CN208923044U | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 何中凯;傅新宇;荣延栋;魏景峰 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/44 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种对位部件及反应腔室,用于在基座位于工艺位置时使基片与基座的承载面对中,对位部件包括环形本体和引流结构,在环形本体的内周壁上设置有凸部,凸部在基座自传片位置上升至工艺位置的过程中,通过与基片的边缘相接触,来校正基片在基座上的位置,并且,在基座到达工艺位置时,凸部位于基座的承载面下方,以能够与基片相分离;引流结构与环形本体相邻设置,引流结构用于在基座位于工艺位置时,将吹扫气体引向基片上表面的边缘区域。本实用新型提供的对位部件及反应腔室,能够避免对位部件与基片相接触,阻挡吹扫气体对基片的边缘区域进行吹扫,从而提高基片的边缘排除区域尺寸的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 对位部件 工艺位置 反应腔室 环形本体 引流结构 本实用新型 边缘区域 吹扫气体 凸部 边缘排除区域 基片上表面 相邻设置 承载面 均匀性 内周壁 凸部位 相分离 吹扫 校正 自传 承载 阻挡 | ||
【主权项】:
1.一种对位部件,用于在基座位于工艺位置时使基片与所述基座的承载面对中,其特征在于,所述对位部件包括环形本体和引流结构,在所述环形本体的内周壁上设置有凸部,所述凸部在所述基座自传片位置上升至所述工艺位置的过程中,通过与所述基片的边缘相接触,来校正所述基片在所述基座上的位置,并且,在所述基座到达所述工艺位置时,所述凸部位于所述基座的承载面下方,以能够与所述基片相分离;所述引流结构与所述环形本体相邻设置,所述引流结构用于在所述基座位于所述工艺位置时,将吹扫气体引向所述基片上表面的边缘区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821834485.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造