[实用新型]半导体结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201821869247.7 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN209119067U | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 刘军 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开是关于一种半导体结构半导体结构及半导体器件。该半导体结构包括：基底；图形层，设于所述基底上，所述图形层具有凹槽，且所述凹槽的底部暴露出部分所述基底；多晶硅填充层，位于所述凹槽内，用于填充所述凹槽，且所述多晶硅填充层与所述凹槽的侧壁之间具有间隙。本公开提供的半导体结构，多晶硅与凹槽的侧壁之间存在间隙，通过对多晶硅填充层的加热处理，能够使多晶硅填充层中的狭缝在多晶硅的表面溢出，从而实现减少多晶硅中狭缝的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 多晶硅填充 多晶硅 基底 半导体器件 图形层 侧壁 狭缝 加热处理 填充 溢出 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；图形层，设于所述基底上，所述图形层具有凹槽，且所述凹槽的底部暴露出部分所述基底；多晶硅填充层，位于所述凹槽内，用于填充所述凹槽，且所述多晶硅填充层与所述凹槽的侧壁之间具有间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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