[实用新型]一种氮化镓器件有效

专利信息
申请号: 201821877443.9 申请日: 2018-11-15
公开(公告)号: CN208873713U 公开(公告)日: 2019-05-17
发明(设计)人: 李孟;李幸辉;罗广豪 申请(专利权)人: 镓能半导体(佛山)有限公司;佛山华玉股权投资合伙企业(有限合伙)
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/495;H01L21/60
代理公司: 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 代理人: 齐胜杰
地址: 528200 广东省佛山市南海区桂城街道宝石*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型提供一种氮化镓器件,所述氮化镓器件包括:包括氮化镓裸芯片,引线框架的引脚和用于对所述氮化镓裸芯片进行散热的基岛;所述氮化镓裸芯片正面的电极采用引线与所述引脚连接,所述氮化镓裸芯片背面与所述基岛直接接触;所述氮化镓裸芯片、所述引脚和所述基岛封装成一个氮化镓器件,且部分基岛外露在所述氮化镓器件的顶部。本实用新型能够解决现有氮化镓裸芯片在封装成贴片的器件时,封装材料的热阻高,散热效果差,不利于发挥氮化镓功率管的电流通过能力问题,同时能解决在贴片功率器件顶部安装散热片的问题。
搜索关键词: 氮化镓 裸芯片 氮化镓器件 基岛 引脚 本实用新型 贴片 封装 电流通过 顶部安装 封装材料 功率器件 能力问题 散热效果 引线框架 功率管 散热片 电极 散热 外露 热阻 背面
【主权项】:
1.一种氮化镓器件,包括氮化镓裸芯片,引线框架的引脚,其特征在于,还包括:用于对所述氮化镓裸芯片进行散热的基岛;所述氮化镓裸芯片正面的电极采用引线与所述引脚连接,所述氮化镓裸芯片背面与所述基岛直接接触;所述氮化镓裸芯片、所述引脚和所述基岛封装成一个氮化镓器件,且部分基岛外露在所述氮化镓器件的顶部。
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