[实用新型]一种高导通效率的碳化硅二极管有效
| 申请号： | 201821879772.7 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN208923151U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 赵喜高 | 申请（专利权）人： | 深圳市可易亚半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 谭雪婷;高早红 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种高导通效率的碳化硅二极管，涉及碳化硅二极管领域。实现了能够提高碳化硅二极管的开关效率，降低了能耗的缺陷的效果。该高导通效率的碳化硅二极管，包括一号电极，一号电极的下端设置有金属上层，金属上层的下端设置有N型外延层，N型外延层的内部填充有P型单晶碳化硅，P型单晶碳化硅的下端设置有深体区，N型外延层的下端设置有N型衬底，N型衬底的下端设置有金属下层，金属下层的下端设置有二号电极，深体区为P型深体区。该高导通效率的碳化硅二极管，提高了该碳化硅二极管的导通效率，具有高导通效率的优点，降低了碳化硅二极管的开关效率，降低了能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅二极管 下端 高导 电极 深体 金属 单晶碳化硅 开关效率 衬底 下层 能耗 上层 本实用新型 内部填充 导通 | ||
【主权项】：
1.一种高导通效率的碳化硅二极管，包括一号电极(1)，其特征在于：所述一号电极(1)的下端设置有金属上层(3)，所述金属上层(3)的下端设置有N型外延层(4)，所述N型外延层(4)的内部填充有P型单晶碳化硅(5)，所述P型单晶碳化硅(5)的下端设置有深体区(6)，所述N型外延层(4)的下端设置有N型衬底(7)，所述N型衬底(7)的下端设置有金属下层(8)，所述金属下层(8)的下端设置有二号电极(2)。
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