[实用新型]晶圆和半导体器件有效
| 申请号： | 201821921900.X | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN209087831U | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/77;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种晶圆和半导体器件，涉及半导体技术领域。该晶圆包括:衬底；介质层，位于远离衬底的一侧面上；晶圆允收测试电路，形成于介质层中，晶圆允收测试电路包括金属互连层；沟槽，形成于介质层中位于晶圆允收测试电路侧部，沟槽填充有保护层；其中，沟槽的深度大于等于晶圆允收测试电路的深度。当沿着切割道区域对芯片进行切割时，保护层材料具有弹性,可以缓冲芯片切割时的应力问题,减轻龟裂的产生，并且在出现龟裂时，沟槽和填充的保护层材料可防止龟裂扩大，从而提升芯片的良率与稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 允收测试 电路 介质层 龟裂 半导体器件 保护层材料 衬底 切割 半导体技术领域 芯片 金属互连层 沟槽填充 缓冲芯片 应力问题 保护层 切割道 良率 种晶 填充 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆，包括晶粒区域和切割道区域，其特征在于，所述切割道区域包括：衬底；介质层，位于远离所述衬底的一侧面上；晶圆允收测试电路，形成于所述介质层中，所述晶圆允收测试电路包括金属互连层；沟槽，形成于所述介质层中位于所述晶圆允收测试电路侧部，所述沟槽填充有保护层；其中，所述沟槽的深度大于等于所述晶圆允收测试电路的深度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821921900.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成电路电容器阵列结构及半导体存储器
- 下一篇：电容器和系统
