[实用新型]一种晶片在位检测系统有效
申请号: | 201821927313.1 | 申请日: | 2018-11-21 |
公开(公告)号: | CN209150053U | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 李亮亮 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹;李相雨 |
地址: | 102209 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型实施例公开一种晶片在位检测系统。其中,所述系统包括:控制器、晶片、至少一个光信号发射器和至少一个光电信号转换器,所述光信号发射器用于向所述晶片发射检测光;所述光电信号转换器用于接收所述晶片反射回来的光信号,并且将所述光信号转换成电信号;所述光电信号转换器将所述电信号传递给所述控制器;其中,所述光信号发射器和所述光电信号转换器一一对应。本实用新型实施例提供的晶片在位检测系统,能够实现对晶片的在位检测。 | ||
搜索关键词: | 光电信号转换器 晶片 光信号发射器 在位检测系统 本实用新型 控制器 种晶 电信号传递 光信号转换 发射检测 在位检测 反射 | ||
【主权项】:
1.一种晶片在位检测系统,其特征在于,包括控制器、晶片、至少一个光信号发射器和至少一个光电信号转换器,其中:所述光信号发射器用于向所述晶片发射检测光;所述光电信号转换器用于接收所述晶片反射的光信号,并且将所述光信号转换成电信号;所述光电信号转换器将所述电信号传递给所述控制器;其中,所述光信号发射器和所述光电信号转换器一一对应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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