[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201821935220.3 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN209045570U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件，其半导体衬底中形成有鳍片，所述鳍片具有沿第二方向延伸的水平鳍片部以及竖直设置在所述水平鳍片部的两端上的竖直鳍片部，所述鳍片的两个所述竖直鳍片部之间界定出沿第一方向延伸的第一沟槽，所述水平鳍片部中形成有第二源漏掺杂区，所述竖直鳍片部的顶端部中形成有第一源漏掺杂区；所述竖直鳍片部的侧壁上环绕有栅极，由此可以基于一个鳍片形成两个环栅晶体管，有利于增加栅极对沟道的控制力以及有效沟道长度，克服短沟道效应，进而有利于更小的特征尺寸和更高的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 竖直鳍片 鳍片 鳍片部 半导体器件 源漏掺杂区 方向延伸 有效沟道长度 本实用新型 短沟道效应 竖直设置 集成度 顶端部 控制力 晶体管 侧壁 衬底 沟道 环栅 界定 半导体 环绕 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有至少一个鳍片，所述鳍片具有沿第二方向延伸的水平鳍片部以及竖直设置在所述水平鳍片部的两个相对的端上的竖直鳍片部，两个所述竖直鳍片部之间界定出沿第一方向延伸的第一沟槽，每个所述竖直鳍片部的顶端部中形成有一第一源漏掺杂区，所述水平鳍片部中设有一第二源漏掺杂区，所述第二源漏掺杂区沿所述第二方向从所述水平鳍片部被一个所述竖直鳍片部覆盖的部分中延伸至被另一个所述竖直鳍片部覆盖的部分中；以及，栅极，环绕在所述竖直鳍片部的侧壁上。
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