[实用新型]一种辐射腔体真空释放装置有效
申请号: | 201821943996.X | 申请日: | 2018-11-23 |
公开(公告)号: | CN209401596U | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 吕伟伟 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开一种辐射腔体真空释放装置,包括:一种辐射腔体真空释放装置,其中包括:一辐射腔体,辐射腔体包括一灯室和一下半部工艺腔体;一进气管路,进气管路的一端与灯室的一侧连接;一第一电磁阀,第一电磁阀与进气管路连接。本实用新型有益效果在于:优化辐射腔体真空装置,通过增加一进气管路,并增加第一电磁阀取缔现有技术中的手阀,通过计算机远程控制电磁阀开启和关闭,以减少不必要的手动作业,进一步地提高了生产效率。 | ||
搜索关键词: | 辐射腔体 进气管路 真空释放装置 第一电磁阀 本实用新型 灯室 计算机远程控制 电磁阀开启 工艺腔体 生产效率 手动作业 真空装置 半部 手阀 优化 | ||
【主权项】:
1.一种辐射腔体真空释放装置,其特征在于,包括:一辐射腔体,所述辐射腔体包括一灯室与一下半部工艺腔体;一进气管路,所述进气管路的一端与所述灯室的一侧连接;一第一电磁阀,所述第一电磁阀与所述进气管路连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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