[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201821957805.5 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN209216979U | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张黎 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体结构，半导体结构包括：半导体衬底，具有位于所述半导体衬底内的沟槽；位于所述沟槽的底部及侧壁上的氮掺杂氧化硅层；填充于沟槽中的栅极金属层，栅极金属层的顶端低于半导体衬底的上表面。通过于半导体衬底的沟槽上设置氮掺杂氧化硅层，从而提高栅极绝缘层中的氮含量，使氮掺杂更均匀，从而在保证晶体管栅极结构性能的情况下，有效提高抗掺杂离子在栅极结构中的扩散问题，降低了栅极结构的漏电流，从而提高晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体结构 半导体 氮掺杂 栅极金属层 氧化硅层 栅极结构 晶体管栅极结构 本实用新型 栅极绝缘层 掺杂离子 漏电流 上表面 晶体管 侧壁 填充 扩散 保证 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构至少包括：半导体衬底，具有位于所述半导体衬底内的沟槽；氮掺杂氧化硅层，位于所述沟槽的底部及侧壁上；栅极金属层，填充于所述沟槽中，所述栅极金属层的顶端低于所述半导体衬底的上表面。
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