[实用新型]氮化镓基半导体外延器件有效
| 申请号： | 201821966789.6 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN209199874U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 陈彦良;大藤彻;谢明达 | 申请（专利权）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾苗粟*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氮化镓基半导体外延器件，由下而上依序包含基板、第一氮化镓外延层、缓冲层及第二氮化镓外延层，其中，基板为具有晶种层的基板、第一氮化镓外延层为五三比(V/III ratio)氮化镓外延层、缓冲层的五三比参数由大至小缓变的缓冲层，以及第二氮化镓外延层为五三比(V/III ratio)氮化镓外延层，据此氮化镓基半导体外延器件利用不同五三比氮化镓外延层及五三比参数由大至小缓变的缓冲层来达到高晶格质量及具有平整表面，进儿可以成长不同的氮化镓基外延结构。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓外延层 缓冲层 氮化镓基半导体 外延器件 基板 缓变 氮化镓基外延 平整表面 晶种层 晶格 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基半导体外延器件，其特征在于，包含:基板；第一氮化镓外延层，所述第一氮化镓外延层设置在所述基板上；缓冲层，所述缓冲层设置在所述第一氮化镓外延层上，其中所述缓冲层为具有五三比参数由大至小缓变的缓冲层；以及第二氮化镓外延层，所述第二氮化镓外延层设置在所述缓冲层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
