[实用新型]一种提高正向光的LED芯片有效
| 申请号： | 201822006986.X | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN209183566U | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 许英朝;蔡立鹤 | 申请（专利权）人： | 厦门理工学院 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/10;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人： | 杨玉芳 |
| 地址： | 361024 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种提高正向光的LED芯片，涉及半导体发光器件机制备技术领域，包括：衬底、N型GaN层、MQW层、P型GaN层、上电极、下电极以及金属反射墙；其中，N型GaN层未被MQW层以及P型GaN层覆盖的第一表面区域与MQW层以及P型GaN层形成台阶结构；上电极位于P型GaN层上；金属反射墙位于N型GaN层的第一表面区域上，且包围MQW层与P型GaN层，以形成一墙体；下电极位于N型GaN层的第一表面区域上，且位于金属反射墙以及MQW层之间。通过切割道区域内设有金属反射墙，金属反射墙制备于台阶结构上，形成墙体包围MQW层与P型GaN层。保证了有源发光层MQW层向外辐射的光，经由金属反射墙的反射作用，增加了光的反射，从而提高正向出光。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 金属 第一表面 台阶结构 下电极 正向光 电极 墙体 半导体发光器件 本实用新型 包围 反射作用 发光层 切割道 衬底 正向 制备 辐射 覆盖 保证 | ||
【主权项】：
1.一种提高正向光的LED芯片，其特征在于，包括：衬底；N型GaN层，位于所述衬底上；MQW层，位于所述N型GaN层上；P型GaN层，位于所述MQW层上；其中，所述N型GaN层未被MQW层以及P型GaN层覆盖的第一表面区域与MQW层以及P型GaN层形成台阶结构；上电极，位于所述P型GaN层上；金属反射墙，位于所述N型GaN层的第一表面区域上，且包围所述MQW层与所述P型GaN层，以形成一墙体；下电极，位于所述N型GaN层的第一表面区域上，且位于所述金属反射墙与所述MQW层之间；其中，所述下电极的高度与所述金属反射墙的高度一致。
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