[实用新型]一种混合结构电容、像素电路以及成像装置有效
| 申请号： | 201822049548.1 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN209017168U | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 陈超林 | 申请（专利权）人： | 思特威（上海）电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种混合结构电容、像素电路以及成像装置。其中，混合结构电容包括MOS电容和金属‑金属电容。所述MOS电容设置于半导体衬底中，所述金属‑金属电容设置于所述半导体衬底上的介质层中，所述金属‑金属电容位于所述MOS电容的上方。且所述MOS电容的源极和漏极与所述金属‑金属电容的第一电极板连接，所述MOS电容的栅极与所述金属‑金属电容的第二电极板连接。由于MOS电容与金属‑金属电容在垂直于半导体衬底表面的方向上垂直设置，以及将MOS电容与金属‑金属电容进行并联，从而能够在不增加电容面积的条件下，增加电容的电容值，提高单位面积内的电容密度。 | ||
| 搜索关键词： | 金属电容 电容 金属 混合结构 成像装置 像素电路 电极板 衬底 半导体 半导体衬底表面 本实用新型 垂直设置 介质层 并联 漏极 源极 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种混合结构电容，其特征在于，包括：MOS电容，设置于半导体衬底中；金属‑金属电容，设置于所述半导体衬底上的介质层中；其中，所述金属‑金属电容位于所述MOS电容的上方；所述MOS电容的源极和漏极与所述金属‑金属电容的第一电极板连接，所述MOS电容的栅极与所述金属‑金属电容的第二电极板连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于思特威（上海）电子科技有限公司，未经思特威（上海）电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201822049548.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种视频信号生成装置
- 下一篇：电信号转换电路、芯片和高频头
