[实用新型]一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路

摘要

本实用新型公开了一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路，其利用TFET相比于MOSFET具有更小的亚阈值摆幅和更高的开关比等特性，不仅解决了传统MOSFET SRAM单元结构的静态功耗大的问题，在相同的工作电压下如0.3V到0.6V时，其静态功耗与其他TFET SRAM单元结构相比，其静态功耗至少降低了4个数量级，而且提高了TFET SRAM单元的写裕度和稳定性；即消除了TFET做SRAM传输管时出现的正偏漏电流问题，降低了单元的静态功耗，提高了单元的稳定性和写能力。

主权项

1.一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路，其特征在于，包括：八个NTFET晶体管和四个PTFET晶体管；八个NTFET晶体管依次记为N1～N8，四个PTFET晶体管依次记为P1～P4；其中：VDD和NTFET晶体管N1的漏极电连接，同时VDD也与PTFET晶体管P1及PTFET晶体管P2的源极电连接；PTFET晶体管P1的漏极，与NTFET晶体管N3的漏极、PTFET晶体管P2的栅极、NTFET晶体管N4及NTFET晶体管N8的栅极电连接；PTFET晶体管P2的漏极，与PTFET晶体管P3及PTFET晶体管P4的漏极、以及NTFET晶体管N4及NTFET晶体管N5的漏极电连接；PTFET晶体管P3的源极，与PTFET晶体管P4的源极、PTFET晶体管P1的栅极、NTFET晶体管N2的源极、以及NTFET晶体管N3的栅极电连接；NTFET晶体管N1的源极与NTFET晶体管N2的漏极电连接；NTFET晶体管N5的源极与NTFET晶体管N6的漏极电连接；NTFET晶体管N7的源极与NTFET晶体管N8的漏极电连接；NTFET晶体管N3、NTFET晶体管N4、NTFET晶体管N6及NTFET晶体管N8的源极与GND电连接。