[实用新型]光纤有效
| 申请号： | 201822100675.X | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN209514124U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 汤明明;钱宜刚;沈一春;何亮;秦钰;吴椿烽 | 申请（专利权）人： | 中天科技精密材料有限公司;江苏中天科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/036 | 分类号： | G02B6/036;G02B6/02 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 苏广秀;彭辉剑 |
| 地址： | 226009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种光纤，涉及光通信技术领域，其中光纤包括由内而外依次包括单掺锗二氧化硅芯层、隔断层、单掺氟二氧化硅光学包层及外包层，所述隔断层用于防止单掺锗二氧化硅芯层中锗和单掺氟二氧化硅光学包层中氟相互扩散；其中所述单掺氟二氧化硅光学包层分为三层，从内到外依次为浅掺氟层、主掺氟层及辅掺氟层，所述浅掺氟层及辅掺氟层的折射率均大于所述主掺氟层的折射率。通过隔断层的设置减少了掺杂元素的迁移导致的折射率的抵消，且通过单掺氟二氧化硅光学包层的分层设置，使SiO2内掺氟的量在半径方向有一个浓度逐渐变化的过程，这种变化的过程可以使光纤截面粘度沿半径方向呈逐渐变化的趋势，得到低损耗低弯曲损耗光纤。 | ||
| 搜索关键词： | 掺氟层 掺氟 二氧化硅 光学包层 隔断层 折射率 掺锗二氧化硅 逐渐变化 光纤 芯层 低弯曲损耗光纤 光通信技术领域 本实用新型 掺杂元素 分层设置 光纤截面 低损耗 外包层 三层 抵消 迁移 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种光纤，其特征在于：由内而外依次包括单掺锗二氧化硅芯层、隔断层、单掺氟二氧化硅光学包层及外包层，所述隔断层用于防止单掺锗二氧化硅芯层中锗和单掺氟二氧化硅光学包层中氟相互扩散；其中所述单掺氟二氧化硅光学包层分为三层，从内到外依次为浅掺氟层、主掺氟层及辅掺氟层，所述浅掺氟层及辅掺氟层的折射率均大于所述主掺氟层的折射率。
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