[实用新型]半导体芯片有效
| 申请号： | 201822108601.0 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN209709012U | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 黄瑄;李俊贤;刘英策;魏振东;邬新根;周弘毅 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 33244 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 李高峰;孟湘明<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 361101 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一半导体芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针中的至少一个所述N型电极连接针的截面尺寸与其他的所述N型电极连接针的截面尺寸不同，所述P型电极的一列P型电极连接针中的至少一个所述P型电极连接针的截面尺寸与其他的所述P型电极连接针的截面尺寸不同，通过这样的方式，自所述N型电极和所述P型电极注入的电流能够均匀地分布于所述半导体芯片，从而改善电流扩展死角的问题，以提高所述半导体芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 连接针 半导体芯片 绝缘层 本实用新型 透明导电层 电流扩展 发光效率 依次层叠 衬底 源区 死角 | ||
【主权项】：
1.一半导体芯片，其特征在于，包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层以及一绝缘层，其中所述半导体芯片进一步包括一电极组，其中所述电极组包括：/n一N型电极，其包括一N型电极焊盘、至少一N型电极扩展条以及至少一列N型电极连接针，其中所述N型电极焊盘层叠于所述绝缘层和在穿过所述绝缘层后被电连接于所述N型半导体层，其中每个所述N型电极扩展条分别延伸于所述N型电极焊盘和层叠于所述绝缘层，其中每列所述N型电极连接针中的每个所述N型电极连接针分别以相互间隔的方式延伸于所述N型电极扩展条和在穿过所述绝缘层后被电连接于所述N型半导体层，其中一列所述N型电极连接针中的至少一个所述N型电极连接针的截面尺寸与其他的所述N型电极连接针的截面尺寸不同；和/n一P型电极，其包括一P型电极焊盘、至少一P型电极扩展条以及至少一列P型电极连接针，其中所述P型电极焊盘层叠于所述绝缘层和在穿过所述绝缘层后被电连接于所述P型半导体层，其中每个所述P型电极扩展条分别延伸于所述P型电极焊盘和层叠于所述绝缘层，其中每列所述P型电极连接针中的每个所述P型电极连接针分别以相互间隔的方式延伸于所述P型电极连接针和在穿过所述绝缘层后被电连接于所述透明导电层，其中一列所述P型电极连接针中的至少一个所述P型电极连接针的截面尺寸与其他的所述P型电极连接针的截面尺寸不同。/n
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