[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201822108883.4 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN209434226U | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 胡双元 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 朱静谦 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。其中，包括：基板；设置在所述基板上的导热层，导热层包括相互键合的第一金属层和第二金属层；设置在所述导热层上第一导电类型半导体层；设置在所述第一导电类型半导体层上的第二导电类型半导体层。通过两种导电类型的半导体层层叠设置，保证了半导体器件使用过程中的绝缘性能；并通过互相键合的导热层，保证了半导体器件的正常散热，保持半导体器件的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 导热层 第一导电类型 半导体层 基板 键合 导电类型半导体层 半导体技术领域 本实用新型 第二金属层 第一金属层 导电类型 绝缘性能 灵敏度 散热 制备 半导体 保证 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基板(7)；导热层(5、6)，设置在所述基板(7)上；第一导电类型半导体层(4)，设置在所述导热层(5、6)上；第二导电类型半导体层(3)，设置在所述第一导电类型半导体层(4)上。
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