[实用新型]发光元件有效

专利信息
申请号: 201822194164.9 申请日: 2016-05-03
公开(公告)号: CN209729940U 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 金艺瑟;金京完;吴尚炫;徐德壹;禹尚沅;金智惠 申请(专利权)人: 首尔伟傲世有限公司
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/14;H01L33/24;H01L33/44;H01L33/32;H01L33/62;H01L33/38;H01L33/42
代理公司: 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 孙昌浩;李盛泉<国际申请>=<国际公布>
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 根据本实用新型的一实施例的发光元件包括:第一导电型半导体层;活性层,位于所述第一导电型半导体层上;第二导电型半导体层,位于所述活性层上;电流阻挡层,位于所述第二导电型半导体层上的局部位置;透明电极,覆盖所述电流阻挡层,具有暴露所述电流阻挡层的开口部;第一电极焊盘,电连接于所述第一导电型半导体层;第二电极焊盘,位于所述电流阻挡层上,且位于所述透明电极的开口部上;第二电极延伸部,从所述第二电极焊盘延伸,且位于所述透明电极上,所述电流阻挡层包括位于所述第二电极焊盘下方的焊盘电流阻挡层以及位于所述第二电极延伸部下方的延伸部电流阻挡层,所述透明电极的开口部的侧面与所述焊盘电流阻挡层相隔。
搜索关键词: 电流阻挡层 导电型半导体层 焊盘 第二电极 透明电极 开口部 延伸部 活性层 本实用新型 第一电极 发光元件 局部位置 电连接 相隔 侧面 暴露 覆盖 延伸
【主权项】:
1.一种发光元件,其特征在于,包括:/n第一导电型半导体层;/n活性层,位于所述第一导电型半导体层上;/n第二导电型半导体层,位于所述活性层上;/n电流阻挡层,位于所述第二导电型半导体层上的局部位置;/n透明电极,覆盖所述电流阻挡层,具有暴露所述电流阻挡层的开口部;/n第一电极焊盘,电连接于所述第一导电型半导体层;/n第二电极焊盘,位于所述电流阻挡层上,且位于所述透明电极的开口部上;/n第二电极延伸部,从所述第二电极焊盘延伸,且位于所述透明电极上,/n所述电流阻挡层包括位于所述第二电极焊盘下方的焊盘电流阻挡层以及位于所述第二电极延伸部下方的延伸部电流阻挡层,/n所述透明电极的开口部的侧面与所述焊盘电流阻挡层相隔。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔伟傲世有限公司,未经首尔伟傲世有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201822194164.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top