[实用新型]背入射式共面电极多单元芯片有效
申请号: | 201822196268.3 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN209401639U | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 杨彦伟;刘宏亮;刘格;邹颜 | 申请(专利权)人: | 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人: | 田俊峰 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种背入射式共面电极多单元芯片,包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层;芯片上包括多个分光单元,每个分光单元包括透光孔、光敏区和第一电极;透光孔贯穿吸收层;吸收层内对应光敏区的区域为光电转换区;第一电极设于芯片的正面,第一电极与对应的光敏区的另一端相连接;芯片的正面上还设有至少一个第二电极,第二电极与缓冲层相连接;芯片的背面为入光侧,每个分光单元的透光孔使对应的入射光的一部分透射分出,入射光的另一部分在对应的光电转换区进行光电转换;故本实用新型提供的芯片能够对多束入射光的每束入射光进行分光和光功率监控,进而使用本实用新型提供的芯片的光路系统,无需使用光分路器,大大减少了系统体积,也降低了成本。 | ||
搜索关键词: | 芯片 入射光 第一电极 分光单元 光敏区 透光孔 吸收层 本实用新型 光电转换区 背入射式 第二电极 共面电极 多单元 缓冲层 光功率监控 光电转换 光分路器 光路系统 顶层 透射 衬底 分出 分光 背面 贯穿 | ||
【主权项】:
1.一种背入射式共面电极多单元芯片,其特征在于:所述芯片包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层;所述芯片上包括多个分光单元,每个所述分光单元包括透光孔、光敏区和第一电极;所述透光孔向远离所述芯片背面的方向开口并贯穿所述吸收层和所述顶层;所述光敏区设于所述顶层并一端与所述吸收层相连接;所述吸收层内对应所述光敏区的区域为光电转换区;所述第一电极设于所述芯片的正面,所述第一电极与对应的所述光敏区的另一端相连接;所述芯片的正面上还设有至少一个第二电极,所述第二电极与所述缓冲层相连接;所述芯片的背面为入光侧,每个所述分光单元的透光孔使对应的入射光的一部分透射分出,入射光的另一部分在对应的所述光电转换区进行光电转换。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司,未经深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201822196268.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:正入射式共面电极光电芯片及其封装结构
- 下一篇:一种点式光伏组件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的