[实用新型]背入射式共面电极多单元芯片有效

专利信息
申请号: 201822196268.3 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN209401639U 公开(公告)日: 2019-09-17
发明(设计)人: 杨彦伟;刘宏亮;刘格;邹颜 申请(专利权)人: 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
主分类号: H01L31/0232 分类号: H01L31/0232;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 代理人: 田俊峰
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种背入射式共面电极多单元芯片,包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层;芯片上包括多个分光单元,每个分光单元包括透光孔、光敏区和第一电极;透光孔贯穿吸收层;吸收层内对应光敏区的区域为光电转换区;第一电极设于芯片的正面,第一电极与对应的光敏区的另一端相连接;芯片的正面上还设有至少一个第二电极,第二电极与缓冲层相连接;芯片的背面为入光侧,每个分光单元的透光孔使对应的入射光的一部分透射分出,入射光的另一部分在对应的光电转换区进行光电转换;故本实用新型提供的芯片能够对多束入射光的每束入射光进行分光和光功率监控,进而使用本实用新型提供的芯片的光路系统,无需使用光分路器,大大减少了系统体积,也降低了成本。
搜索关键词: 芯片 入射光 第一电极 分光单元 光敏区 透光孔 吸收层 本实用新型 光电转换区 背入射式 第二电极 共面电极 多单元 缓冲层 光功率监控 光电转换 光分路器 光路系统 顶层 透射 衬底 分出 分光 背面 贯穿
【主权项】:
1.一种背入射式共面电极多单元芯片,其特征在于:所述芯片包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层;所述芯片上包括多个分光单元,每个所述分光单元包括透光孔、光敏区和第一电极;所述透光孔向远离所述芯片背面的方向开口并贯穿所述吸收层和所述顶层;所述光敏区设于所述顶层并一端与所述吸收层相连接;所述吸收层内对应所述光敏区的区域为光电转换区;所述第一电极设于所述芯片的正面,所述第一电极与对应的所述光敏区的另一端相连接;所述芯片的正面上还设有至少一个第二电极,所述第二电极与所述缓冲层相连接;所述芯片的背面为入光侧,每个所述分光单元的透光孔使对应的入射光的一部分透射分出,入射光的另一部分在对应的所述光电转换区进行光电转换。
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