[实用新型]一种低功耗功率MOSFET器件有效
| 申请号： | 201822243238.3 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209216982U | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 徐吉程;袁力鹏;范玮 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郭永丽;党娟娟 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低功耗功率MOSFET器件，涉及半导体功率器件领域。用于解决现有的高压器件存在漂移区电阻较大，导致VDMOS器件导通电阻偏大及损耗增加的问题。该器件包括：屏蔽结构，接触孔，源极金属区层外延层和沟槽；所述屏蔽结构由第二氧化层和第二多晶硅层组成，所述屏蔽结构位于设置在所述外延层内的所述沟槽的底部；所述接触孔位于所述屏蔽结构的上方，所述接触孔的底端与所述屏蔽结构的上端相接触，设置在所述接触孔内的接触金属层延伸出所述外延层与所述源极金属区层相接触。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽结构 接触孔 外延层 功率MOSFET器件 源极金属区 低功耗 半导体功率器件 本实用新型 接触金属层 导通电阻 多晶硅层 高压器件 漂移区 氧化层 底端 电阻 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种低功耗功率MOSFET器件，其特征在于，包括：屏蔽结构，接触孔，源极金属区层外延层和沟槽；所述屏蔽结构由第二氧化层和第二多晶硅层组成，所述屏蔽结构位于设置在所述外延层内的所述沟槽的底部；所述接触孔位于所述屏蔽结构的上方，所述接触孔的底端与所述屏蔽结构的上端相接触，设置在所述接触孔内的接触金属层延伸出所述外延层与所述源极金属区层相接触。
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