[实用新型]切割装置及晶粒切割系统有效
申请号: | 201822269306.3 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN209119043U | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 高宝华 | 申请(专利权)人: | 常州银河电器有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/78 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 吴迪 |
地址: | 213000 江苏省常州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供一种切割装置及晶粒切割系统,涉及晶粒切割技术领域。该切割装置包括:底座、操作台、第一调节杆、第二调节杆及切割机构;操作台设于底座上,操作台上设有容置槽,第一调节杆、第二调节杆分别与操作台连接,第一调节杆的第一调节方向与第二调节杆的第二调节方向垂直,第一调节杆和第二调节杆均设有千分尺,切割机构设于操作台上,通过将待切割对象放置于容置槽中,第一调节杆、第二调节杆可以调节得到切割起点位置,进而切割机构紧贴待切割对象的切割起点位置,根据第一调节杆和/或第二调节杆调节待切割对象朝切割终点位置移动,实现切割机构在待切割对象表面产生切割轨迹,实现准确的切割,具有切割精度高的特点。 | ||
搜索关键词: | 调节杆 切割 切割机构 操作台 晶粒切割 切割装置 切割起点 容置槽 底座 本实用新型 对象表面 对象放置 方向垂直 切割轨迹 终点位置 千分尺 紧贴 移动 | ||
【主权项】:
1.一种切割装置,其特征在于,包括:底座、操作台、第一调节杆、第二调节杆及切割机构;所述操作台设于所述底座上,所述操作台上设有容置槽,所述第一调节杆、所述第二调节杆分别与所述操作台连接,所述第一调节杆的第一调节方向与所述第二调节杆的第二调节方向垂直,所述第一调节杆和所述第二调节杆均设有千分尺,所述切割机构设于所述操作台上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造