[发明专利]真空蒸镀用的掩模的清洗方法和冲洗组合物在审
| 申请号： | 201880000486.5 | 申请日： | 2018-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN109415798A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 三木寿夫;花田毅 | 申请（专利权）人： | AGC株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C11D7/28;C11D7/50;C23C14/00;H01L51/50;H05B33/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 温剑;胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 清洗方法，该方法是真空蒸镀用的掩模的清洗方法，其中用含有选自N‑甲基‑2‑吡咯烷酮和N,N‑二甲基甲酰胺的至少1种的清洗组合物清洗掩模，用含有选自HFE‑347pc‑f、HFE‑254pc、HFE‑356pcf和HFE‑449mec‑f的至少1种氢氟醚的冲洗组合物对清洗后的掩模进行冲洗。该清洗方法中，有机EL元件制造时的真空蒸镀工序中使用的掩模的清洗中，冲洗清洗组合物时，能够在有效成分不分解的情况下将掩模清洗得极为干净。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 掩模 真空蒸镀 冲洗组合物 清洗组合物 冲洗 二甲基甲酰胺 有机EL元件 清洗掩模 吡咯烷酮 氢氟醚 分解 制造 | ||
【主权项】：
1.清洗方法，它是真空蒸镀用的掩模的清洗方法，其特征在于，用含有选自N‑甲基‑2‑吡咯烷酮和N,N‑二甲基甲酰胺的至少1种的清洗组合物清洗所述掩模，用含有选自CF3CH2‑O‑CF2CHF2、CHF2CF2‑O‑CH3、CHF2‑O‑CH2CF2CHF2和CF3CHFCF2‑O‑CH2CF3的至少1种氢氟醚的冲洗组合物对清洗后的所述掩模进行冲洗。
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