[发明专利]用于三维存储器件双侧布线的阶梯结构有效
| 申请号： | 201880000911.0 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109075172B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11575 | 分类号： | H01L27/11575;H01L27/11582;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 钟胜光 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了用于三维(3D)存储器件双侧布线的阶梯结构的实施例。在示例中，3D存储器件包括衬底、设置在所述衬底上方并且包括交替堆叠的导体/电介质层对的存储器堆叠层、以及存储器串的阵列，每个存储器串竖直延伸穿过所述存储器堆叠层的内部区域。所述存储器堆叠层的外部区域包括设置在所述衬底上的第一阶梯结构和设置在所述衬底上的第二阶梯结构。所述第一阶梯结构中的导体/电介质层对的第一边缘沿背离所述衬底的竖直方向朝所述存储器串的阵列横向错开。所述第二阶梯结构中的导体/电介质层对的第二边缘沿背离所述衬底的竖直方向背离所述存储器串的阵列横向错开。 | ||
| 搜索关键词： | 阶梯结构 衬底 存储器串 存储器 导体 电介质层 堆叠层 存储器件 横向错开 背离 侧布 竖直 三维存储器件 交替堆叠 内部区域 竖直延伸 外部区域 三维 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器件，包括：衬底；存储器堆叠层，其设置在所述衬底上方并且包括交替堆叠的多个导体/电介质层对；存储器串的阵列，每个所述存储器串竖直延伸穿过所述存储器堆叠层的内部区域，其中，所述存储器堆叠层的外部区域包括设置在所述衬底上的第一阶梯结构和设置在所述衬底上的第二阶梯结构；所述第一阶梯结构中的所述多个导体/电介质层对的第一边缘沿背离所述衬底的竖直方向朝所述存储器串的阵列横向错开；并且所述第二阶梯结构中的所述多个导体/电介质层对的第二边缘沿背离所述衬底的竖直方向背离所述存储器串的阵列横向错开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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