[发明专利]反熔丝、反熔丝的制造方法以及存储装置在审
| 申请号： | 201880001105.5 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN109075153A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 王文轩;沈健;王红超;周红星 | 申请（专利权）人： | 深圳市为通博科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京合智同创知识产权代理有限公司 11545 | 代理人： | 李杰 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区南头*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种反熔丝、反熔丝的制造方法以及存储装置，其中，反熔丝包括至少一个反熔丝单元，反熔丝单元包括：场效应管，其包括衬底和设置于衬底的第一掺杂区、第二掺杂区以及栅电极；和第一电极，其设置于衬底，并与衬底形成反熔丝电容，第一电极与第一掺杂区连接，通过第二掺杂区与衬底之间的电压差调整以及栅电极的电压调整击穿反熔丝电容，向反熔丝单元写入数据；或者，以通过栅电极的电压调整并对流经第二掺杂区的电流进行检测，确定反熔丝单元是否被写入数据，通过将第一电极与衬底分别作为反熔丝电容的一对极板，可以省略反熔丝单元的一端口。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 衬底 反熔丝单元 掺杂区 第一电极 电容 栅电极 存储装置 电压调整 写入数据 场效应管 电压差 省略 击穿 极板 制造 检测 申请 | ||
【主权项】：
1.一种反熔丝，其特征在于，所述反熔丝包括至少一个反熔丝单元，其中，所述反熔丝单元包括：场效应管，其包括衬底和设置于所述衬底的第一掺杂区、第二掺杂区以及栅电极；和第一电极，其设置于所述衬底，并与衬底形成反熔丝电容，所述第一电极与所述第一掺杂区连接，通过所述第二掺杂区与所述衬底之间的电压差调整以及所述栅电极的电压调整击穿所述反熔丝电容，向所述反熔丝单元写入数据；或者，以通过所述栅电极的电压调整并对流经所述第二掺杂区的电流进行检测，确定所述反熔丝单元是否被写入数据。
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